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【技術/半導体】フィン型トランジスタを用いた新SRAM 従来比1.5倍の動作安定、22nm世代メモリの問題解決にメド

1 :まぁいいかφ ★:2007/09/18(火) 22:09:02 ID:???
 産業技術総合研究所は18日、エレクトロニクス研究部門 先端シリコンデバイスグループの
大内 真一 研究員、昌原 明植 主任研究員らが、システムLSIの面積の50%以上を占める
SRAMの動作安定性を、従来技術の1.5倍に高める高性能な新回路を考案したことを発表した。

 素子微細化の難度は年々高くなってきており、2013年以降に市場投入が想定されている
22nm世代トランジスタ技術では、素子寸法が現在の半分に縮小されるのに伴い、素子性能の
ばらつきが重大な問題になると危惧されていた。特にSRAMでは、チップ上で最小寸法の
トランジスタを多用するために、この問題の影響を受けやすい。

 今回考案されたSRAM回路は、「フィン型マルチゲート電界効果型トランジスタ」(フィン型FET)と
呼ばれる立体型新構造トランジスタと、これに電流駆動力を調整する機能を加えた4端子フィン型
FETによって構成される。4端子フィン型FETを書き込み・読み出し回路と記憶保持部を接続する
部位に用い、この部位の電流駆動力を書き込み・読み出しの動作に応じて動的に切り替えることに
よって、それぞれの動作安定性を向上させることができる。

 新方式では、選択トランジスタを電流駆動力可変の4端子フィン型FETにしたことにより、
書き込み時には電流駆動力を大きくしてビット線-フリップフロップ回路間の結合を高め、
逆に読出し時には電流駆動力を小さくし結合力を低めることが可能。シミュレーションによる
検討の結果、従来の平面型トランジスタでSRAM回路を実現する場合に比べて、1.5倍の
動作安定性が書き込み・読み出しの両動作で実現されるとの見通しを得た。22nm世代
トランジスタ技術において、従来と同じ構成のSRAMを用いると歩留まりの問題が生じるが、
本SRAM回路を用いれば解決できることになる。今回得られた計算結果の単純な換算を行うと、
2013年に市場投入想定の量産型システムLSIに搭載されるSRAMでも十分な歩留まりが
得られることになる。

 今後は、今年度から実施の、経済産業省の研究開発プロジェクト「ナノエレクトロニクス半導体
新材料・新構造技術開発−うち新材料・新構造ナノ電子デバイス」を通じて、原理実証を行う予定だ。

 なお、この成果は、9月17〜19日に米国サンノゼ(シリコンバレー)で開催される国際会議
「カスタム集積回路会議」(2007 Custom Integrated Circuits Conference)にて注目論文として
発表される。

(画像等の詳細はソースを御参照下さい)

ソース:RBB TODAY
http://www.rbbtoday.com/news/20070918/44952.html

独立行政法人 産業技術総合研究所
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2007/pr20070918/pr20070918.html

2 :まぁいいかφ ★:2007/09/18(火) 22:09:15 ID:???
関連スレ:
【技術】新LED、でこぼこ表面で光量60%増 東北大が開発
http://news21.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1153558560/

【技術/イベント】原子時計をチップサイズに Transducers 2007レポート
http://news21.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1181821557/

3 :名無しのひみつ:2007/09/18(火) 22:39:44 ID:+L5MNGxv
よくわからん
だれかAV男優のテクに例えて説明してくれ

4 :名無しのひみつ:2007/09/18(火) 22:58:05 ID:p0zL26Dd
しゃちほこ

5 :名無しのひみつ:2007/09/18(火) 23:05:22 ID:9UAk9zFe
女とやればやるほど、早漏になって行き。チンポの小型化が進んだと言う事。
チンポは小さくなったが気にすることはない。いろんな女とやったおかげで、
男としてのスペックは上がっている。今回のはチンポの先っちょからの漏れ
を解消できたと言う事でいいのだろうか、詳しい人教えて。

6 :名無しのひみつ:2007/09/18(火) 23:21:55 ID:tiLvAKpV
あ、これ、麻生が施政方針で言ってた奴じゃん。
情報早いのねん。閣下。

7 :名無しのひみつ:2007/09/18(火) 23:47:51 ID:OJCNkStu
22nm世代に向けて100ある課題の一つに目星がついたって話。
もう新プロセス開発は国家事業でないとやっていけない領域まで来た。

8 :名無しのひみつ:2007/09/18(火) 23:54:24 ID:fvQF6bem
22nmって、露光はどうするの?紫外線露光?反射系だけで作った露光装置とか言う奴?

9 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 03:17:41 ID:n8A9spvw
とにかくチョン・チュンには気をつけろ!!

10 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 03:32:36 ID:rrbSFo0w
なんかもー、そろそろ限界ぽいな
22nmまでは到達出来るだろうけど、その次って新しい別の技術になってそうだ

11 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 03:47:40 ID:n8A9spvw
μの単位の頃から頻繁に『限界』「論理的に不可能」「これ以上の〜は考えられない」
って何度も何度も聞いて来たこの30年間。

12 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 04:04:04 ID:evmbJK8d
チョンちゃんだけには注意してください!!><

13 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 04:10:04 ID:/VAJbC0q
在日でも一部の使いっぱの小悪といっしょにしちゃあいけねえよ
http://video.google.com/videoplay?docid=-446781510928242771&hl=en
奴隷社会はいらねえ

14 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 07:06:50 ID:0RUB2gW2
SRAMは6Tr

15 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 09:55:43 ID:LS30xr3N
>>14
4トランジスタのSRAMもなかったっけか

16 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 11:31:39 ID:HYgCoPiS
このフィン型FETをアナログ回路に適用したらどうなるんだろう?
フィードバックの駆け方が簡単になるとか、
対に使える(つまりペアで使えるバラツキの少ない)FETが増えるとか、
そんなのが出てくるかな?
ハイパワーのアプリケーションでも、電力ロスが減りそうなソリューションが出そうな気がする。

17 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 14:47:33 ID:rYAQTw3W
主記憶をDRAMからSRAMにしてくれ。値段が4倍以上だがスタンバイで
メモリをHDDへ保護する必要がなくなる。微妙だが速度アップにも貢献するだろ。


18 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 14:55:34 ID:e0zJnuWD
DRAMでも出来ているが。電源はいるけれど。

19 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 15:16:32 ID:W3oRBelM
SRAMでも電源はいるだろ。

20 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 15:23:03 ID:rBpVd/Nb
>>17
それはFRAM、MRAM、PRAMあたりと勘違いしてないか?

21 :名無しのひみつ:2007/09/19(水) 17:43:55 ID:LS30xr3N
>>20
ReRAMも仲間に入れてやってくれ

22 :名無しのひみつ:2007/09/20(木) 11:47:05 ID:BFbfIHzC
トランジスタはメタルCANタイプを使ってこそ味が出る

23 :名無しのひみつ:2007/09/20(木) 15:18:52 ID:zu4n/KTL
>>19
電源の量が違うだろ。回路が高い周波数で動作している状態と
リーク電流だけの世界と比較するのか?
コンセント抜くわけではないのでバックアップ電源などで保持できるとなると
激しく違うだろ。すでに冷却が必要なほどにエネルギー消費するDIMMが
どれだけの電力を使っているか考えた方がいい。
>>20
現状の技術で実現できないものを語っても。

24 :名無しのひみつ:2007/09/20(木) 15:48:49 ID:zQl21FbP
最近、こういう発表が相次いでいるのは
予算獲得のための涙ぐましい大げさ発表?

25 :名無しのひみつ:2007/09/20(木) 16:21:52 ID:PC5mo2fE
>>23
いちおうFRAMはFelicaとかで使ってるでしょ。

26 :名無しのひみつ:2007/09/21(金) 03:14:44 ID:zaZ5DpcH
>>23
二昔前のPCのメインメモリより、
現在のCPUダイのキャッシュ(SRAM)の方がでかいんで、
もうキャッシュをメインメモリと言うことにしてしまえば?
そういう運用が出来るように設計してしまえば、
DOSのソフトぐらいならDRAM無しで動かせるようになるんじゃないか?

27 :名無しのひみつ:2007/09/21(金) 14:19:47 ID:2WR+XTpC
>>23
6トランジスタのSRAMと1トランジスタのDRAMでは
スタンバイ時のリーク電流はSRAMのほうが6倍多い

DRAMモジュールはDDR2メモリ8枚1GBのものでアクティブ時1Wから5W程度の消費電力
CPUのL2キャッシュに使われているSRAM部分は2MBで通電非アクティブ時200mWから2W程度の消費電力

さあ、どっち!?

28 :名無しのひみつ:2007/09/24(月) 18:22:33 ID:HsyJrnTL
>>23
遅いSRAMだったら省電力だけどさ・・

29 :名無しのひみつ:2007/09/24(月) 22:25:51 ID:DSPo897X
>>27
>スタンバイ時のリーク電流はSRAMのほうが6倍多い

>>23もだが、SRAMでリーク電流って、いったい、、、



30 :名無しのひみつ:2007/09/24(月) 23:35:46 ID:wf/qQRIj
>>27
スタンバイでメモリの内容を保持できないのなら意味ないじゃん。

31 :名無しのひみつ:2007/09/25(火) 01:25:01 ID:fSFZP9gT
>>29
>>27>>23が正しいよ。
SRAMは高速動作のためVthを下げるとスタンバイリークが
大きくなる。

32 :名無しのひみつ:2007/09/25(火) 01:38:45 ID:6WSJ7opg
一体どういうモデルを使って、どう回路設計すればいいのだろうか。
アナログ回路設計屋としては気になるところだな。

33 :名無しのひみつ:2007/09/25(火) 09:33:29 ID:seBEPdvX
どうやってもRambusの特許からは逃れられない

34 :名無しのひみつ:2007/09/25(火) 15:06:08 ID:74npWEh4
>>31
さわるな、DQNは反感が痛いぞ。
>>33
そのRambusも特許から逃げられない。
クロスライセンスで特許料を相殺していた考え方に問題があるとおもわれ。

35 :名無しのひみつ:2007/11/15(木) 15:41:32 ID:xwWyYA8w
昔のノートPC。V30な。

SRAMのドライブがあって低消費電力でバッテリーバックアップがあり
便利に使えたもの。
DRAMで代行できないから問題なんだろう。
フラッシュメモリ?
読み出しは早くても書き込み時間と書き込み回数が激しく問題になる。

一時的に使っていない状態の大気電流が流れすぎ。
CPUもGPUも稼動は最小限にしておくのが本来だろう。

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